中国科学家再立新功,发明了一项颠覆性技术,成功破解国际难题

文章来源:搜狐网作者:智忠 发布时间:2018年04月16日 点击数: 字体:

    随着现代化进程的推进,各种电子产品充斥在我们的生活之中。作为各类电子产品的组成基础,半导体领域就成为了官家必争之地。
    目前中国是世界上最大的半导体消费国,中国的需求量占到了全球总量的45%,但其中近90%依赖于进口。近年来中国在各项领域相继实现了跳级式发展,半导体领域自然也不在例外。
    虽然中国目前在半导体领域仍处于巨大的贸易逆差之中,但随着我国科研工作者的努力。我们在这一领域也在迎头赶上,在世界各巨头还在冲击7nm技术时,我国中微半导体设备公司正是宣布掌握了5nm技术,打了个西方巨头一个措手不及。而在近日,我国又解决了半导体电荷存储的一项国际性难题。
    据媒体4月10日的报道称,复旦大学微电子学院解决了国际半导体电荷存储技术中一个“鱼与熊掌不可兼得”的难题,开创了全新一代的第三类存储技术。颠覆性的实现了二维半导体准非易失存储原型器件,使电子元件的写入速度比现在市面上最好的闪存U盘快了一万倍。
    目前世界上的半导体电荷存储技术主要分为,电脑内存式断电即清除数据的易失性存储技术,以及我们常用的U盘、电脑硬盘等在写入数据后最长可保存10年的非易失性存储技术。
    而此次复旦大学研发新一代存储技术,不仅具有电脑内存的写入速度(纳秒级写入速度),还可按需(10秒—10年)调控数据准非易失特性。这一新技术在完美的降低了存储功耗的同时,也在特殊的应用中解决了保密性和传输时间的问题。
    虽然我国的半导体产业发展相对滞后,但我国仍然在迎头赶上。根据《中国制造2025》的规划,我国的半导体芯片自给率在2025年要达到一个非常之高的目标—50%。这意味着我国的半导体产业的总体产值必须在那时达到35%,超越美国成为世界第一。
    作为现代化工业的“粮食”,半导体可以说极大的制约的一国的发展。虽然目前中国同美国等发达国家比,仍具有一定的差距。但随着国家的重视,我国科研工作者的努力,我国在半导体领域正向好的方向发展,中国在核心技术领域不再是“门外汉”!

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